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NAND512R3A2DZA6 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NAND512R3A2DZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲容量:
512Mb(64M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
50ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華來深電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生
- 手機(jī):
13751106682
- 詢價:
- 電話:
0755-83238902/13662247350
- 傳真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路國利大廈新亞洲二期N2B227
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