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NAND512R3A3AZA6E

包裝:管件 封裝/外殼:55-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NAND512R3A3AZA6E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    60ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    55-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55-VFBGA(8x10)

  • 描述:

    IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
STMicroelectronics
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更多NAND512R3A3AZA6E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 15:13:00