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NCD5703CDR2G集成電路（IC）柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

NCD5703CDR2G
廠商型號

NCD5703CDR2G
參數(shù)屬性

NCD5703CDR2G 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
功能描述

High Current IGBT Gate Drivers
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
文件大小

451.16 Kbytes
頁面數(shù)量

20 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-11-15 20:52:00

NCD5703CDR2G規(guī)格書詳情

NCD5703CDR2G屬于集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器。安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NCD5703CDR2G柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導體配置相關。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NCD5703CDR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    IGBT

  • 電壓 - 供電：

    20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.75V，4.3V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    7.8A，6.8A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    9.2ns，7.9ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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