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NCE01P30I中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE01P30I
廠商型號

NCE01P30I

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

NCE01P30I

封裝外殼

TO-251

文件大小

321.87 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-28 19:09:00

NCE01P30I規(guī)格書詳情

Description

The NCE01P30I uses advanced trench technology and design

to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be

used in a wide variety of applications. It is ESD protested.

General Features

● VDS =-100V,ID =-30A

RDS(ON) <58m? @ VGS=-10V (Typ:44m?)

RDS(ON) <65m? @ VGS=-4.5V (Typ:48m?)

● Super high dense cell design

● Advanced trench process technology

● Reliable and rugged

● High density cell design for ultra low On-Resistance

Application

● Portable equipment and battery powered systems

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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