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NCE100ED65VTP4中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE100ED65VTP4
廠商型號

NCE100ED65VTP4

功能描述

650V 100A Trench FS Gen.7 IGBT

絲印標(biāo)識

NCE100ED65VTP4

封裝外殼

TO-247P-4L

文件大小

1.09886 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-26 15:00:00

NCE100ED65VTP4規(guī)格書詳情

General Description

Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS

(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior

conduction and switching performances, and easy parallel operation.

Features

? Trench field stop Gen.7 Technology Offering

? Low saturation voltage: VCEsat = 1.45V(Typ.) @ IC = 100 A

? High speed switching, low switching losses

? Maximum junction temperature Tvjmax = 175°C

? Tighten parameter distribution

? High ruggedness, temperature stable behavior

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

Application

? PV power

? Three-level Solar String Inverter

? UPS

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