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NCE15T60BD

Marking：TO-263；Package：NCE15T60BD；600V, 15A, Trench FS II Fast IGBT

GeneralDescription: UsingNCE'sproprietarytrenchdesignandadvancedFS(FieldStop)second generationtechnology,the600VTrenchFSIIIGBTofferssuperiorconductionand switchingperformances,andeasyparalleloperation; Features TrenchFSIITechnologyoffering ?VerylowVCE（sat）

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

G15T60

LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

K15T60

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime5?s ?TRENCHSTOP?andFieldstoptechnologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -veryhigh

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC15T60

IGBT3Chip

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC15T60E

TRENCHSTOPTMIGBT3Chip

Features: ?600Vtrench&fieldstoptechnology ?LowVCEsat ?Lowturn-offlosses ?Shorttailcurrent ?Positivetemperaturecoefficient ?Easyparalleling

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC15T60S

IGBT3Chip600VTrench&FieldStoptechnologypositivetemperaturecoefficient

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC15T60SE

600Vtrench&fieldstoptechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SIGC15T60UN

HighSpeedIGBTChipinNPT-technologypositivetemperaturecoefficient

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多NCE15T60BD供應商 更新時間2025-3-30 11:06:00

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