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NCE160ED65VTP中文資料無錫新潔能股份數據手冊PDF規(guī)格書

NCE160ED65VTP
廠商型號

NCE160ED65VTP

功能描述

650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBT

文件大小

1.57463 Mbytes

頁面數量

10

生產廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 23:00:00

NCE160ED65VTP規(guī)格書詳情

General Description

Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS

(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior

conduction and switching performances, and easy parallel operation.

Features

? Trench field stop Gen.7 Technology Offering

? Low saturation voltage: VCEsat = 1.45V(Typ.) @ IC = 160 A

? Maximum junction temperature Tvjmax = 175°C

? High speed switching, low switching losses

? Tighten parameter distribution

? High ruggedness, temperature stable behavior

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

Application

? Automotive application

? PV power

? Three-level Solar String Inverter

? UPS

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NCE/新潔能
23+
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3260
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