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NCE20P07N中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE20P07N
廠商型號

NCE20P07N

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

20P07N

封裝外殼

SOT23-6L

文件大小

282.46 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 20:00:00

NCE20P07N規(guī)格書詳情

Description

The NCE20P07N uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications .It is ESD protested.

General Features

● VDS = -20V,ID =-7A

RDS(ON) < 45m? @ VGS=-2.5V

RDS(ON) < 35m? @ VGS=-4.5V

ESD Rating: 2500V HBM

● High Power and current handing capability

● Surface mount package

● Pb free terminal plating

● RoHS compliant

● Halogen free

Application

● PWM application

● Load switch

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NCE/新潔能
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