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NCE2312	文件：293.9 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2312X	文件：323.88 Kbytes Page：7 Pages	Marking：2312X；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE2312Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa uni-directionalorbi-directionalloadswitch. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2312A	文件：282.36 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NTE2312	文件：23.68 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltage,HighSpeedSwitch Description: TheNTE2312isasiliconNPNtransistorinaTO220typepackagedesignedforhigh–voltage,high–speedpowerswitchinginductivecircuitswherefalltimeiscritical.Thisdeviceisparticularlysuitedfor115Vand220Vswitch–modeapplicationssuchasswitchingregulators,inverter	NTE NTE Electronics	NTE
NV2312A	文件：423.28 Kbytes Page：1 Pages	Heavycontactloadswitchingcurrentupto30A.	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 華興安深圳市華興安電子有限公司	HUAXINAN
NV2312C	文件：423.28 Kbytes Page：1 Pages	Heavycontactloadswitchingcurrentupto30A.	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 華興安深圳市華興安電子有限公司	HUAXINAN
PA2312	文件：134.27 Kbytes Page：9 Pages	LoPro??DualSPDTAnalogSwitch	PROTEC Protek Devices	PROTEC
PAM2312	文件：657.26 Kbytes Page：14 Pages	1ASTEP-DOWNDC-DCCONVERTER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PAM2312	文件：411.89 Kbytes Page：14 Pages	1AStep-DownDC-DCConverter	PAM Diodes Incorporated	PAM
PAM2312AABADJ	文件：657.26 Kbytes Page：14 Pages	1ASTEP-DOWNDC-DCCONVERTER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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