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NCE30H11BG

Marking：NCE30H11BG；Package：DFN5X6-8L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30H11BGusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan beusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=110A RDS(ON)=2.3mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=3.8mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Excellentga

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30H11BK

Marking：NCE30H11BK；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30H11BKusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=110A RDS(ON)=2.7mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=3.9mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensi

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30H11K

Marking：NCE30H11K；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30H11Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=110A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

NCE30H11G

Marking：NCE30H11G；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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無錫新潔能
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無錫新潔能
23+
TO-252-2L
22820
原裝正品，支持實單
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NCE新潔能
21+
TO-252
32500
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NCE
21+
TO-252
2500
原包裝原標現(xiàn)貨,假一罰十,
 詢價
更多NCE30H11供應(yīng)商 更新時間2025-2-26 15:51:00

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