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NCE30P30K中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE30P30K
廠商型號

NCE30P30K

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

NCE30P30K

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

426.32 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 23:40:00

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NCE30P30K規(guī)格書詳情

Description

The NCE30P30K uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This

device is well suited for high current load applications.

General Features

● VDS =-30V,ID =-30A

RDS(ON) <18m? @ VGS=-10V

RDS(ON) <30m? @ VGS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● High side switch for full bridge converter

● DC/DC converter for LCD display

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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