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NCE4435B中文資料無(wú)錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NCE4435B
廠商型號(hào)

NCE4435B

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

714.47 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NCEPOWER無(wú)錫新潔能股份

中文名稱

無(wú)錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 15:00:00

NCE4435B規(guī)格書詳情

Description

The NCE4435B uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

General Features

● VDS = -30V,ID = -12A

RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=-4.5V

RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=-10V

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

● PWM applications

● Load switch

● Power management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
無(wú)錫新潔能
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SOP-8
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NCE/新潔能
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原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
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原裝現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)可供更多可出樣
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NCE/新潔能
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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