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NCE6009XS中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NCE6009XS
廠商型號(hào)

NCE6009XS

功能描述

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

608.79 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-2 18:17:00

NCE6009XS規(guī)格書詳情

Description

The NCE6009XS uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications. General Features

● VDS = 60V,ID =9A

RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=10V (Typ:9.3mΩ)

RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=4.5V (Typ:12.7mΩ)

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Low gate to drain charge to reduce switching losses

Application

● Power switching application

● Load switch

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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