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NCE60P55K中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE60P55K
廠商型號

NCE60P55K

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

NCE60P55K

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

669.98 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-5 23:00:00

NCE60P55K規(guī)格書詳情

Description

The NCE60P55K uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This

device is well suited for high current load applications. General Features

● VDS =-60V,ID =-55A

RDS(ON) <28mΩ @ VGS=-10V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation

Application

● High side switch for full bridge converter

● DC/DC converter for LCD display

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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