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NCE020N30K

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE020N30Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=180A RDS(ON)=1.9mΩ@VGS=10V(Typ) RDS(ON)=2.6mΩ@VGS=4.5V(Typ) ●Highdensity

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

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更多NCEP020N30GU供應(yīng)商 更新時間2025-1-19 9:30:00

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