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NCP303150D集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

NCP303150D
廠商型號

NCP303150D
參數(shù)屬性

NCP303150D 封裝/外殼為39-PowerVFQFN；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC DRIVER/MOSFET 39PQFN
功能描述

Integrated Driver and MOSFET with Integrated Current Monitor
IC DRIVER/MOSFET 39PQFN
封裝外殼

39-PowerVFQFN
文件大小

596.23 Kbytes
頁面數(shù)量

19 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-29 17:22:00

NCP303150D規(guī)格書詳情

NCP303150D屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NCP303150D柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The NCP303150D integrates a MOSFET driver, high?side

MOSFET and low?side MOSFET into a single package.

The driver and MOSFETs have been optimized for high?current

DC?DC buck power conversion applications. The NCP303150D

integrated solution greatly reduces package parasitics and board space

compared to a discrete component solution.

Features

? Capable of Average Currents up to 50 A

? 30 V / 30 V Breakdown Voltage MOSFETs for Higher Long Term

Reliability

? High?Performance, Universal Footprint, Copper?Clip 5 mm x 6 mm

PQFN Package

? Capable of Switching at Frequencies up to 1 MHz

? Compatible with 3.3 V or 5 V PWM Input

? Responds Properly to 3?level PWM Inputs

? Precise Current Monitoring

? Option for Zero Cross Detection with 3?level PWM

? Internal Bootstrap Diode

? Catastrophic Fault Detection

? Thermal Flag (OTP) for Over?Temperature Condition

? Over?Current Protection FAULT (OCP)

? Under?Voltage Lockout (UVLO) on VCC and PVCC

? Supports Intel? Power State 4

Applications

? Desktop & Notebook Microprocessors

? Graphic Cards

? Routers and Switches

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    NCP303150DMNTWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    半橋，低壓側(cè)

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.65V，2.7V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    100mA，100mA

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    17ns，26ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    39-PowerVFQFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    39-PQFN（5x6）

  • 描述：

    IC DRIVER/MOSFET 39PQFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
22+
NA
1940
原裝正品支持實單
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有更多數(shù)量-集團化配單-免費送樣
PQFN39
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集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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