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NCV33152DR2G

High Speed Dual MOSFET Drivers

TheMC34152/MC33152aredualnoninvertinghighspeeddriversspecificallydesignedforapplicationsthatrequirelowcurrentdigitalsignalstodrivelargecapacitiveloadswithhighslewrates.ThesedevicesfeaturelowinputcurrentmakingthemCMOS/LSTTLlogiccompatible,inputhysteresisforf

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NCV33152DR2G

HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS

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NCV33152DR2G

High Speed Dual MOSFET Drivers

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NCV33152DR2G

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 柵極驅(qū)動器 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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MC33152DR2

HIGHSPEEDDUALMOSFETDRIVERS

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MC33152DR2G

HighSpeedDualMOSFETDrivers

TheMC34152/MC33152aredualnoninvertinghighspeeddriversspecificallydesignedforapplicationsthatrequirelowcurrentdigitalsignalstodrivelargecapacitiveloadswithhighslewrates.ThesedevicesfeaturelowinputcurrentmakingthemCMOS/LSTTLlogiccompatible,inputhysteresisforf

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NCV33152DR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置：

    低端

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    6.1V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.6V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.5A，1.5A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    36ns，32ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NCV33152DR2G供應商 更新時間2025-1-22 14:16:00

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