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NCV5183DR2G 集成電路（IC）柵極驅(qū)動器 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：NCV5183DR2G品牌：ON Semiconductor

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NCV5183DR2G是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器。制造商ON Semiconductor/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的NCV5183DR2G柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號：

    NCV5183DR2G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    344.57 kb

  • 資料說明：

    High Voltage High Current High and Low Side Driver

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NCV5183DR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    獨立式

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    9V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    1.2V，2.5V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    4.3A，4.3A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    12ns，12ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇欣科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機：

    137-5109-0307

  • 詢價：
  • 電話：

    137-5109-0307/0755-83946758

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號403

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