NCV57090BDWR2G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	NCV57090BDWR2G
功能描述	Isolated High Current IGBT/MOSFET Gate Driver
文件大小	1.97998 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量	25 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】
中文名稱	安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-2-10 14:23:00

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市高捷芯城科技有限公司	NCV57090BDWR2G	onsemi(安森美)	23+	SOP-8-300mil	1612	深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。	詢價(jià)