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NDB6060L_NSC/美國國家半導體_MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode星佑電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NDB6060L
- 功能描述:
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市星佑電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生.張小姐
- 手機:
13682592920/13713568066
- 詢價:
- 電話:
0755-83997861/83993781
- 傳真:
0755-83997996
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3007號國際科技大廈2201
相近型號
- NDB606AS
- NDB608A
- NDB6051
- NDB608AE
- NDB6050-SMD(0.8KREEL
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