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NDD02N60Z-1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NDD02N60Z-1G
廠商型號

NDD02N60Z-1G
功能描述

N-Channel Power MOSFET
文件大小

148.07 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-4 11:11:00
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產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    NDD02N60Z-1G

  • 功能描述：

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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