NDP6030中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NDP6030 |
| 功能描述 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
56.6 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-26 9:41:00 |
NDP6030規(guī)格書詳情
General Description
These P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters and high efficiency switchingcircuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features
-30 A, -30 V. RDS(ON)= 0.042 W@ VGS= -4.5V
RDS(ON)= 0.025 W@ VGS= -10 V.
Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature.
Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor.
High density cell designfor extremely low RDS(ON).
175°C maximum junction temperature rating.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NDP6030
- 功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TO220 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
23+ |
TO-220 |
8650 |
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TO-220 |
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詢價(jià) | ||
NS |
97+ |
TO220 |
944 |
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詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
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TO-220 |
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詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
0314/0125/02 |
TO-220 |
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全新原裝現(xiàn)貨100真實(shí)自己公司 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
08+ |
13037 |
普通 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
2200 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
