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NDS352AP-NL	文件：1.047849 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NDS352P	文件：78.91 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDS352P	文件：465.24 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NP352	文件：198.67 Kbytes Page：2 Pages	1/2PRESS-FITSTRAIGHTLEADDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
NSVA352	文件：198.96 Kbytes Page：7 Pages	JRCSAWFILTER	NJRCNew Japan Radio 新日本無線株式會社	NJRC
NTE352	文件：20.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsDigitalw/2Built-InBias47kResistors(SurfaceMount) Description: TheNTE352isasiliconNPNtransistorinaW65typepackagedesignedprimarilyforusein12.5VVHFlarge–signalpoweramplifierapplicationsrequiredincommercialandindustrialFMequipmentto175MHz. Features: ●Specified12.5V,175MHzCharacteristics: OutputPower=75W	NTE NTE Electronics	NTE
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