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NDSH20120C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-247-2 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：SIC DIODE GEN2.0 1200V TO	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDSH20120CDN	文件：290.5 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDSH20120C-F155	文件：292.29 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTSB20120CTG	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTSB20120CTG	文件：89.66 Kbytes Page：9 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTSJ20120CTG	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTST20120CT	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTST20120CTG	文件：89.66 Kbytes Page：9 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTSV20120CT	文件：86.31 Kbytes Page：5 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier ExceptionallyLowVF=0.557VatIF=5A Features ?FineLithographyTrench?basedSchottkyTechnologyforVeryLowForwardVoltageandLowLeakage ?FastSwitchingwithExceptionalTemperatureStability ?LowPowerLossandLowerOper	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
PCDH20120CCGB	文件：446.92 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features ?TemperatureIndependentSwitchingBehavior ?HighSurgeCurrentCapability ?CompetitiveVF1.4Vatratedcurrent ?LowConductionLoss ?ZeroReverseRecovery ?Highjunctiontemperature175oC ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
PSBT20120LCT	文件：239.61 Kbytes Page：4 Pages	ULTRALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ?Idealforautomatedplacement ?Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Easypickandplacepackagesuitableforautomatedhandling ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective ?Greenmoldingcompounda	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
PTR20120CT	文件：773.76 Kbytes Page：7 Pages	20A120VHPTRSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
PTR20120CTB	文件：773.76 Kbytes Page：7 Pages	20A120VHPTRSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
PTR20120CTF	文件：773.76 Kbytes Page：7 Pages	20A120VHPTRSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
PTR20120CTI	文件：773.76 Kbytes Page：7 Pages	20A120VHPTRSchottkyRectifier	PFC PFC Device Inc.	PFC
R20120	文件：143.29 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
R20120	文件：112.14 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V ●Excellentreliability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
RU20120L	文件：310.88 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
S20120	文件：148.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●200ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
NDSH20120C
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
包裝：
散裝
二極管類型：
碳化硅肖特基
電流 - 平均整流 (Io)：
26A
速度：
無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同?Vr、F 時電容：
1480pF @ 1V，100kHz
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-2
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-2
工作溫度 - 結(jié)：
-55°C ~ 175°C
描述：
SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市宇爍芯半導(dǎo)體科技有限公司	NDSH20120C	ON	23+	TO-247-2LD	100000	全新原裝	詢價
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更多NDSH20120C供應(yīng)商更新時間2024-11-28 16:20:00

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