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NE202930-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE202930-T1 |
| 參數(shù)屬性 | NE202930-T1 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323 |
| 功能描述 | Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor |
| 封裝外殼 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
571.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-6 14:38:00 |
| 人工找貨 | NE202930-T1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE202930-T1規(guī)格書詳情
NE202930-T1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE202930-T1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
FEATURES
? High transition frequency fT = 11 GHz TYP.
? Ideal for low noise and low distortion amplification
? Suitable for equipments of low collector voltage (Less than 5 V)
? Suitable for up to 1 GHz applications
???????
APPLICATIONS
? LNA (Low Noise Amplifier) or power splitter for digital-TV
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE202930-T1-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
6V
- 頻率 - 躍遷：
11GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.15dB @ 1GHz
- 增益：
13.5dB
- 功率 - 最大值：
150mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 5mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-70，SOT-323
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-323
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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