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NE25139-T1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE25139-T1
廠商型號

NE25139-T1

參數(shù)屬性

NE25139-T1 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 13V 900MHZ SOT-143

功能描述

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET
FET RF 13V 900MHZ SOT-143

封裝外殼

TO-253-4,TO-253AA

文件大小

58.34 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-25 14:30:00

NE25139-T1規(guī)格書詳情

NE25139-T1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE25139-T1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE25139-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    MESFET 雙柵極

  • 頻率:

    900MHz

  • 增益:

    20dB

  • 額定電流(安培):

    40mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.1dB

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143

  • 描述:

    FET RF 13V 900MHZ SOT-143

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
SOT143
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價
24+
3000
公司存貨
詢價
NEC
SOT143
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
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RENESAS/瑞薩
SOT-343
90000
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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NEC
24+
-
1977
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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NEC
23+
SOT143
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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NEC
24+
SOT143
18560
假一賠十全新原裝現(xiàn)貨特價供應(yīng)工廠客戶可放款
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RENESAS/瑞薩
23+
SOT-343
26000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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NEC
23+
SOT143
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
CEL
22+
SOT143
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價