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NE27200中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE27200
廠商型號

NE27200

功能描述

C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

文件大小

39.82 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-13 19:00:00

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NE27200規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for commercial systems, industrial and space applications.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length: Lg = 0.2 μm

? Gate Width : Wg = 200 μm

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE27200

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

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