NE27200中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
NE27200 |
功能描述 | C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP |
文件大小 |
39.82 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-13 19:00:00 |
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NE27200規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for commercial systems, industrial and space applications.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz
? Gate Length: Lg = 0.2 μm
? Gate Width : Wg = 200 μm
產(chǎn)品屬性
- 型號:
NE27200
- 制造商:
NEC
- 制造商全稱:
NEC
- 功能描述:
C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CFEON |
1426+ |
TSOP |
53 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
24+/25+ |
60 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ATMEL |
2016+ |
PLCC32 |
6000 |
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詢價(jià) | ||
SEEQ |
23+ |
PLCC32 |
1005 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
23+ |
PLCC32 |
4500 |
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詢價(jià) | ||
NSC |
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PLCC32 |
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EON |
24+ |
TSOP |
2659 |
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詢價(jià) | ||
NEC |
6000 |
面議 |
19 |
CAN-3P小鐵帽金腳 |
詢價(jià) | ||
24+ |
500 |
真實(shí)現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) |