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NE27200中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NE27200
廠商型號(hào)

NE27200

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

199.18 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-25 23:00:00

NE27200規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs

and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable

for commercial systems, industrial and space applications.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length: Lg = 0.2 mm

? Gate Width : Wg = 200 mm

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE27200

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CFEON
23+
NA/
3297
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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6000
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