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NE3210S01-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3210S01-T1
廠商型號(hào)

NE3210S01-T1
參數(shù)屬性

NE3210S01-T1 封裝/外殼為4-SMD；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 4V 12GHZ S01
功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
絲印標(biāo)識(shí)

K
封裝外殼

4-SMD
文件大小

197.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-2 22:58:00
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NE3210S01-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its

excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length: Lg ￡ 0.20 mm

? Gate Width : Wg = 160 mm

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE3210S01-T1B

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    15mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.35dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SMD

  • 描述：

    FET RF 4V 12GHZ S01

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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