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NE32984D-T1A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE32984D-T1A
廠商型號

NE32984D-T1A

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

絲印標識

K

文件大小

207.1 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 23:00:00

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NE32984D-T1A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE32984D is a Hetero Junction FET that utilizes the

hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent

low noise and high associated gain make it suitable for DBS

and another commercial systems.

FEATURES

? Super Low Noise Figure & High Associated Gain

NF = 0.40 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz

? Gate Length : Lg d 0.20 Pm

? Gate Width : Wg = 200 Pm

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
24+
NA/
190
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NEC
24+
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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原裝正品現(xiàn)貨,可開13個點稅
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2000
本站現(xiàn)庫存
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NEC
21+
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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只有原裝原裝,支持BOM配單
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49000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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