首頁(yè)>NE334S01>規(guī)格書詳情

NE334S01中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE334S01
廠商型號(hào)

NE334S01

功能描述

C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

74.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-3-25 14:10:00

人工找貨

NE334S01價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨

NE334S01規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE334S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.

FEATURES

? VERY LOW NOISE FIGURE:

0.25 dB TYP at 4 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN:

16.0 dB TYP at 4 GHz

? GATE WIDTH: 280 μm

? TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE

? LOW COST PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE334S01

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
23+
SMT86
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
NEC
22+
SMT
3000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
NEC
03+
CAN
853
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
NEC
6000
面議
19
DIP/SMD
詢價(jià)
NEC
2023+
CAN
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
詢價(jià)
NEC
SMT86
23+
6000
原裝現(xiàn)貨有上庫(kù)存就有貨全網(wǎng)最低假一賠萬
詢價(jià)
NEC
24+
SO86
35200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
詢價(jià)
NEC
2016+
SMT86
6528
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
詢價(jià)
NEC
24+
SMT86
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
23+
NA/
3712
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)