NE334S01中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
NE334S01 |
功能描述 | C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
文件大小 |
74.21 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-25 14:10:00 |
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NE334S01規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE334S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.
FEATURES
? VERY LOW NOISE FIGURE:
0.25 dB TYP at 4 GHz
? HIGH ASSOCIATED GAIN:
16.0 dB TYP at 4 GHz
? GATE WIDTH: 280 μm
? TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
NE334S01
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
SMT86 |
15000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SMT |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
NEC |
03+ |
CAN |
853 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NEC |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價(jià) | ||
NEC |
2023+ |
CAN |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
NEC |
SMT86 |
23+ |
6000 |
原裝現(xiàn)貨有上庫(kù)存就有貨全網(wǎng)最低假一賠萬 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | ||
NEC |
2016+ |
SMT86 |
6528 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
3712 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) |