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NE350184C-T1_NEC/瑞薩_射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET京海四部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NE350184C-T1
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商
- 企業(yè):
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機:
18948176968
- 詢價:
- 電話:
18948176968
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海大廈C棟706
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