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NE3509M04-T2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3509M04-T2 |
| 參數(shù)屬性 | NE3509M04-T2 封裝/外殼為SOT-343F；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 4V 2GHZ SOT-343 |
| 功能描述 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
1.27717 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-14 22:30:00 |
NE3509M04-T2規(guī)格書詳情
NE3509M04-T2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3509M04-T2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE3509M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
2GHz
- 增益：
17.5dB
- 額定電流（安培）：
60mA
- 噪聲系數(shù)：
0.4dB
- 功率 - 輸出：
11dBm
- 封裝/外殼：
SOT-343F
- 供應(yīng)商器件封裝：
M04
- 描述：
FET RF 4V 2GHZ SOT-343
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC/RENESAS |
2020+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
NEC/RENES |
15+ |
SOT-343 |
1227 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NEC |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價 | ||||
RENESAS |
22+ |
SOT343 |
8650 |
原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
21+ |
SOT-343 |
10000 |
全新原裝 公司現(xiàn)貨 價格優(yōu) |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
SOT-343 |
6000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ADI/亞德諾 |
21+ |
原封裝 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
SOT343 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
NEC |
SOT343 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 |
