NE4210S01分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NE4210S01 |
參數(shù)屬性 | NE4210S01 封裝/外殼為4-SMD;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HJ-FET 13DB S01 |
功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
199.83 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-5 20:00:00 |
NE4210S01規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
? Gate Length: Lg £ 0.20 mm
? Gate Width : Wg = 160 mm
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
NE4210S01
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
HFET
- 頻率:
12GHz
- 增益:
13dB
- 額定電流(安培):
15mA
- 噪聲系數(shù):
0.5dB
- 封裝/外殼:
4-SMD
- 供應商器件封裝:
SMD
- 描述:
HJ-FET 13DB S01
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
NA/ |
7650 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
STM86 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
22+23+ |
38214 |
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詢價 | |||
NEC |
23+ |
SMT86 |
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原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
NEC |
SOT86 |
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詢價 | |||
NEC |
22+ |
SMT |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
RENESAS |
14+ |
168 |
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NEC? |
24+ |
DIP |
16800 |
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詢價 | ||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價 |