首頁>NE425S01>詳情

NE425S01_NEC/瑞薩_射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET科恒偉業(yè)二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NE425S01

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC

  • 庫存數(shù)量：

    98215

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMT

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    1742+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-4 12:59:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NE425S01品牌：NEC

只要網(wǎng)上有絕對(duì)有貨!只做原裝正品!

  • 芯片型號(hào)：

    NE425S01

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    NEC【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Electronics America

  • 中文名稱：

    日本瑞薩電子株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    51.24 kb

  • 資料說明：

    C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NE425S01

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機(jī)：

    13424246946

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

相近型號(hào)