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NE52118-T1

GaAsHETEROJUNCTIONBIPOLARTRANSISTOR

LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIER NPNGaAsHBT FEATURES ·ForLowNoise&HighGainamplifiers NF=1.0dBTYP.Ga=15.0dBTYP.MSG=15.0dBTYP.(@f=2GHz,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50W) OIP3=15dBmTYP.(@f=2GHz,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50W) ·4-pinsuperminimold

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE52118-T1

LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERNPNGaAsHBT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE52118-T1

LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIERNPNGaAsHBT

FEATURES ?HIGHPOWERGAIN:GA=15dBTYPatf=2GHZ,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50? ?LOWNOISE:NF=1.0dBTYPatf=2GHZ,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50? ?OIP3=15dBmTYPatf=2GHZ,VCE=2V,IC=3mA,ZS=ZL=50? ?4PINSUPERMINIMOLDPACKAGE ?GROUNDEDEMITT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多NE52118-T1-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-10 16:16:00

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