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NE5531079A-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE5531079A-T1
廠商型號(hào)

NE5531079A-T1

參數(shù)屬性

NE5531079A-T1 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 30V 460MHZ 79A

功能描述

7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
FET RF 30V 460MHZ 79A

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

382.84 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-14 18:44:00

NE5531079A-T1規(guī)格書詳情

NE5531079A-T1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE5531079A-T1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE5531079A-T1A-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    460MHz

  • 額定電流(安培):

    3A

  • 功率 - 輸出:

    40dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 30V 460MHZ 79A

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