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NE55410GR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE55410GR
廠商型號(hào)

NE55410GR

參數(shù)屬性

NE55410GR 封裝/外殼為16-DFF,裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

功能描述

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

文件大小

558.19 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-24 21:17:00

NE55410GR規(guī)格書詳情

NE55410GR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE55410GR晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE55410GR-T3-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    250mA,1A

  • 功率 - 輸出:

    35.4dBm

  • 封裝/外殼:

    16-DFF,裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-HTSSOP

  • 描述:

    FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
18+
HTSSOP
880000
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TI
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TI/TEXAS
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