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NE55410GR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE55410GR
廠商型號

NE55410GR

參數(shù)屬性

NE55410GR 封裝/外殼為16-DFF,裸露焊盤;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

功能描述

N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER

封裝外殼

16-DFF,裸露焊盤

文件大小

317.31 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-15 11:33:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE55410GR-T3-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    250mA,1A

  • 功率 - 輸出:

    35.4dBm

  • 封裝/外殼:

    16-DFF,裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    16-HTSSOP

  • 描述:

    FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

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