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NE5550779A-A分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NE5550779A-A |
參數(shù)屬性 | NE5550779A-A 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:FET RF 30V 900MHZ 79A |
功能描述 | Silicon Power LDMOS FET |
封裝外殼 | 4-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
3.56692 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-27 20:00:00 |
NE5550779A-A規(guī)格書詳情
NE5550779A-A屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NE5550779A-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號:
NE5550779A-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
900MHz
- 增益:
22dB
- 額定電流(安培):
2.1A
- 功率 - 輸出:
38.5dBm
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應商器件封裝:
79A
- 描述:
FET RF 30V 900MHZ 79A
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
4095 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
6000 |
誠信服務,絕對原裝原盤 |
詢價 | |||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
- |
5000 |
詢價 | |||
Renesas |
2年內 |
N/A |
16000 |
英博爾原裝優(yōu)質現(xiàn)貨訂貨渠道商 |
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RENESAS |
高頻管 |
893993 |
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詢價 | |||
RENESAS |
589220 |
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
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RENESAS |
NA |
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詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
79A |
34430 |
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨 |
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RENESAS |
24+ |
CAN |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
79A |
21000 |
原廠原包裝。假一罰十??砷_13%增值稅發(fā)票。 |
詢價 |