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NE5550979A

Silicon Power LDMOS FET

FEATURES ?HighOutputPower:Pout=39.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) ?Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=460MHz,Pin=25dBm) ?HighLineargain:GL=22dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=200mA,f=

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Silicon Power LDMOS FET

CEL

California Eastern Labs

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Silicon Power LDMOS FET

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NE5550979A-T1A

Silicon Power LDMOS FET

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Silicon Power LDMOS FET

CEL

California Eastern Labs

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NE5550979A

  • 制造商：

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述：

    SILICON MEDIUM POWER LDMOSFET ROHS DIRECTIVE COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled

  • 功能描述：

    IC FET LDMOS 30V 3.0A 79A-PKG

  • 功能描述：

    Pout 39.5dBm PAE 66% Gain 22dB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
NA
6784
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
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Renesas
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NA
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NA
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射頻元件
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7880
原盒原包裝現(xiàn)貨原裝假一罰十價優(yōu)
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23+
79A
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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RENESAS/瑞薩
21+
79A
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
CEL
22+
79A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
RENESAS/瑞薩
2022
79A
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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CEL
23+
79A
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
更多NE5550979A供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 16:20:00

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