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NE68939

SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORL-BANDLOW-POWERAMPLIFIER FEATURES ?P–1=24dBmTYP. @f=1.9GHz,VCC=3.6V,ICq=1mA(ClassAB),Duty=1/8 ?4-PinMiniMoldPackage EIAJ:SC-61

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE68939-T1

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE68939isalowvoltage,NPNSiliconBipolarTransistorforpulsedpowerapplications.Thedeviceisdesignedtooperatefroma3.6Vsupply,anddeliverover1/4wattofpoweroutputatfrequenciesupto2.0GHZwitha1:8dutycycle.Thesecharacteristicsmakeitanidealdevic

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NE68939-T1

SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORL-BANDLOW-POWERAMPLIFIER FEATURES ?P–1=24dBmTYP. @f=1.9GHz,VCC=3.6V,ICq=1mA(ClassAB),Duty=1/8 ?4-PinMiniMoldPackage EIAJ:SC-61

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NE69039

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE69039isalowvoltage,NPNSiliconBipolarTransistorforpulsedpowerapplications.Thedeviceisdesignedtooperatefroma3.6Vsupply,anddeliverover1/2wattofpoweroutputatfrequenciesupto2.0GHZwitha1:8dutycycle.Thesecharacteristicsmakeitanidealdevic

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SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORL-BANDLOW-POWERAMPLIFIER

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NE69039-T1

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE69039isalowvoltage,NPNSiliconBipolarTransistorforpulsedpowerapplications.Thedeviceisdesignedtooperatefroma3.6Vsupply,anddeliverover1/2wattofpoweroutputatfrequenciesupto2.0GHZwitha1:8dutycycle.Thesecharacteristicsmakeitanidealdevic

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NE69039-T1

SILICON TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORL-BANDLOW-POWERAMPLIFIER

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NE698M01

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION

DESCRIPTION TheNE698M01isanNPNhighfrequencysiliconepitaxialtransistor(NE686)encapsulatedinanultrasmall6pinSOT-363package.Itsfouremitterpinsdecreaseemitterinductanceresultingin3dBmoregaincomparedtoconventionalSOT-23andSOT-143devices.TheNE698M01isidealfor

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NE698M01-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION

DESCRIPTION TheNE698M01isanNPNhighfrequencysiliconepitaxialtransistor(NE686)encapsulatedinanultrasmall6pinSOT-363package.Itsfouremitterpinsdecreaseemitterinductanceresultingin3dBmoregaincomparedtoconventionalSOT-23andSOT-143devices.TheNE698M01isidealfor

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NE699M01

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

DESCRIPTION TheNE699M01isanNPNhighfrequencysiliconepitaxialtransistor(NE687)encapsulatedinanultrasmall6pinSOT-363package.Itsfouremitterpinsdecreaseemitterinductanceresultingin3dBmoregaincomparedtoconventionalSOT-23andSOT-143devices.TheNE699M01isidealfor

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替換型號(hào)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE6

  • 制造商：

    Essentra Components

  • 類別：

    電纜，電線 - 管理 > 電纜支撐與緊固件

  • 系列：

    Richco

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    線夾，P 型

  • 開口尺寸：

    0.375"（9.53mm）

  • 安裝類型：

    緊固件

  • 材料：

    鋁

  • 顏色：

    黑色，銀色

  • 寬度：

    0.375"（9.53mm）

  • 面板孔尺寸：

    0.204"（5.18mm）

  • 材料厚度：

    0.031"（0.80mm）

  • 特性：

    保護(hù)涂層

  • 描述：

    CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多NE6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 9:50:00

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