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NE664M04

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE664M04isfabricatedusingNECsstate-of-the-artUHS025GHzfTwaferprocess.Withatransitionfrequencyof20GHz,theNE664M04isusableinapplicationsfrom100MHztoover3GHz.TheNE664M04providesP1dBof26dBm,evenwithlowvoltageandlowcurrent,makingthisdevic

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE664M04

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FRQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE664M04-T2

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE664M04isfabricatedusingNECsstate-of-the-artUHS025GHzfTwaferprocess.Withatransitionfrequencyof20GHz,theNE664M04isusableinapplicationsfrom100MHztoover3GHz.TheNE664M04providesP1dBof26dBm,evenwithlowvoltageandlowcurrent,makingthisdevic

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE664M04-T2-A

MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FRQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE664M04-EV04-A

包裝：盒 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：EVAL BOARD NE664M04

CEL

California Eastern Labs

NE664M04-EVPW09-A

包裝：散裝 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：EVAL BOARD NE664M04 900MHZ

CEL

California Eastern Labs

NE664M04-EVPW24

包裝：散裝 類別：開發(fā)板，套件，編程器 射頻評估和開發(fā)套件，開發(fā)板 描述：EVAL BOARD NE664M04 2.4GHZ

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NE664M04

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CEL
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更多NE664M04供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 15:00:00

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