NE678M04-T2-A 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

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廠家型號：
NE678M04-T2-A
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
生產廠商：
CEL/California Eastern Labs
庫存數量：
19960
產品封裝：
原廠原包
生產批號：
23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-12-24 16:31:00

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原廠料號：NE678M04-T2-A品牌：CEL

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NE678M04-T2-A是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產封裝原廠原包/SOT-343F的NE678M04-T2-A晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
NE678M04-T2-A
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
CEL詳情
廠商全稱：
California Eastern Labs
內容頁數：
8 頁
文件大?。?/span>
207.89 kb
資料說明：
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NE678M04-T2-A
制造商：
CEL
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
6V
頻率 - 躍遷：
12GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
1.7dB @ 2GHz
增益：
13.5dB
功率 - 最大值：
205mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 30mA，3V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SOT-343F
供應商器件封裝：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343F

供應商

企業(yè)：
深圳市永貝爾科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
吳麗潔
手機：
13421387025
詢價：
電話：
0755-83253883
地址：
深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場68樓6811A

NE678M04-T2-A 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

NE678M04-T2-A

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