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NE68033-T1B

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE680seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsisdesignedforlownoise,highgainandlowcostapplications.Boththechipandmicro-xversionsaresuitableforapplicationsupto6GHz.TheNE680dieisalsoavailableinsixdifferentlowcostplasticsurfacemountpackage

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE68033-T1B-A

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

CEL

California Eastern Labs

NE68033-T1B-R44-A

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

CEL

California Eastern Labs

NE68033-T1B-R45-A

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NE68033-T1B

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
500K庫存NEC
1742+
SOT23
98215
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大量庫存NEC
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SOT23
49000
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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RENESAS/瑞薩
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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SOT23
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California Eastern Labs
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原廠原包裝
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
更多NE68033-T1B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 10:45:00

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