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NE68039R-T1

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE680seriesofNPNepitaxialsilicontransistorsisdesignedforlownoise,highgainandlowcostapplications.Boththechipandmicro-xversionsaresuitableforapplicationsupto6GHz.TheNE680dieisalsoavailableinsixdifferentlowcostplasticsurfacemountpackage

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE68039R-T1

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:SOT-143R 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143R

CEL

California Eastern Labs

NE68039R-T1-A

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 封裝/外殼:SOT-143R 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143R

CEL

California Eastern Labs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE68039R-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

  • 增益:

    6.5dB ~ 11dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-143R

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143R

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE68039R-T1供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 15:30:00