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NE68133-T1B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE68133-T1B
廠商型號

NE68133-T1B

參數(shù)屬性

NE68133-T1B 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

218.96 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 20:00:00

NE68133-T1B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surface mount package styles. NE681s unique device characteristics allow you to use a single matching point to simultaneously achieve both low noise and high gain.

FEATURES

? HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz

? LOW NOISE FIGURE:

1.2 dB at 1 GHz

1.6 dB at 2 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN:

15 dB at 1 GHz

12 dB at 2 GHz

? LOW COST

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE68133-T1B-R33-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
23+
SOT-143
54258
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
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ZXV
SOT-23
90000
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
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RENESAS
23+
SOT-143
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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RENESAS/瑞薩
SOT-143
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22+
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3000
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NEC
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