NE68719分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NE68719 |
參數屬性 | NE68719 封裝/外殼為SOT-523;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 3V 11GHZ 3SMINMOLD |
功能描述 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
封裝外殼 | SOT-523 |
文件大小 |
196.62 Kbytes |
頁面數量 |
21 頁 |
生產廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-25 23:00:00 |
NE68719規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE687 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low cost, low noise applications. Excellent performance at low voltage/low current makes this series an ideal choice for portable wireless applications at 1.6, 1.9 and 2.4 GHz. The NE687 die is available in six different low cost plastic surface mount package styles.
FEATURES
? LOW NOISE: 1.3 dB AT 2.0 GHz
? LOW VOLTAGE OPERATION
? EASY TO MATCH
? HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT of 13 GHz
? AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE STYLES
產品屬性
- 產品編號:
NE68719-T1
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
3V
- 頻率 - 躍遷:
11GHz
- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):
1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值:
90mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 20mA,2V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-523
- 供應商器件封裝:
3 針 SuperMiniMold(19)
- 描述:
RF TRANS NPN 3V 11GHZ 3SMINMOLD
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
21102 |
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詢價 | ||
NEC |
2020+ |
NA |
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ZXV |
20+ |
SOT-523 |
90000 |
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RENESAS |
23+ |
SOT-423 |
63000 |
原裝正品現貨 |
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NEC(VA) |
23+ |
原廠封裝 |
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NEC |
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24+ |
1000 |
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NEC |
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SOT-423 |
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CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
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CEL |
2022+ |
3 針 SuperMiniMold(19) |
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詢價 |