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NE68819-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE68819-T1
廠商型號

NE68819-T1

參數(shù)屬性

NE68819-T1 封裝/外殼為SOT-523;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封裝外殼

SOT-523

文件大小

231.06 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 20:00:00

NE68819-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE688 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figures, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NE688s low phase noise distortion and high fT make it an excellent choice for oscillator applications up to 5 GHz. The NE688 series is available in six different low cost plastic surface mount package styles, and in chip form.

FEATURES

? LOW PHASE NOISE DISTORTION

? LOW NOISE: 1.5 dB at 2.0 GHz

? LOW VOLTAGE OPERATION

? LARGE ABSOLUTE MAXIMUM COLLECTOR

CURRENT: IC MAX = 100 mA

? AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC SURFACE

MOUNT PACKAGE STYLES

? ALSO AVAILABLE IN CHIP FORM

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE68819-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    125mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 3mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(19)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
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32500
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振宏微原裝正品,假一罰百
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原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
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