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NE71383B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE71383B
廠商型號

NE71383B

功能描述

L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

92.33 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 22:30:00

NE71383B規(guī)格書詳情

FEATURES

Low noise figure

NF = 0.6 dB TYP. at f = 4 GHz

High associated gain

Ga = 14 dB TYP. at f = 4 GHz

Gate width: Wg = 280μm

Gate Length: Lg = 0.3μm

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE71383B

  • 功能描述:

    MOSFET KU-K BAND MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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